題目 :  12 原子層Ni在 0.5 原子層Ag/Si( 111 )之磁性研究

指導教授：臺灣師範大學 物理系 蔡志申教授

指導老師：張承勛老師  傅斯平老師

組員：李芳谷 

    本實驗選用Ag來混入，期望增加鎳矽化合物的熱穩定性、或是提高NiSi生成溫度，或者是Ag將Ni與Si隔離，使Ni產生不同於Ni/Si(111)的磁特性表現。

    利用調控溫度來了解樣品受熱後對成分、結構與磁性的影響。 450 K至550 K Si開始向上擴散，造成鐵磁性下降，至 575 K時磁滯曲線已測不到，無鐵磁性。所以認為 450 K至575 K時，Si、Ni大量化合成NiSi、Ni₂Si、NiSi₂，可以得知Ag不會阻止鎳矽化合，並且在 600 K時，發現部分Ag會產生退吸附現象。